P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
18.40kr
5-49
15.20kr
50-99
12.92kr
100+
11.69kr
Antal i lager: 98

P-kanal transistor FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. C(tum): 1100pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 102A. Kanaltyp: P. Kostnad): 510pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 120W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FQB27P06TM
29 parametrar
ID (T=25°C)
27A
Idss (max)
10uA
Hölje
D2PAK ( TO-263 )
Hölje (enligt datablad)
D2PAK ( TO-263 )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
diod
C(tum)
1100pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
19.1A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
102A
Kanaltyp
P
Kostnad)
510pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
120W
Port-/källspänning Vgs
25V
Resistans Rds På
0.055 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
30 ns
Td(på)
18 ns
Teknik
DMOS, QFET
Trr-diod (Min.)
105 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild