P-kanal transistor FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Hölje: SO. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (max): 100nA. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: diod. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. C(tum): 528pF. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 528pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: -5.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. G-S Skydd: nej. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Kanaltyp: P. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Kostnad): 132pF. Max temperatur: +175°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. RoHS: ja. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Td(av): 14 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: P-Channel PowerTrench MOSFET. Tillverkarens märkning: FDS9435A. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00