P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.19kr
5-24
13.56kr
25-49
12.12kr
50-99
11.02kr
100+
9.45kr
Antal i lager: 11

P-kanal transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2890pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: ja. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Id(imp): 65A. Kanaltyp: P. Kostnad): 500pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(av): 210 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00

Teknisk dokumentation (PDF)
FDS6679AZ
28 parametrar
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
1uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2890pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
ja
Id(imp)
65A
Kanaltyp
P
Kostnad)
500pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
25V
Resistans Rds På
7.7m Ohms
RoHS
ja
Spec info
Zero Gate Voltage Drain Current
Td(av)
210 ns
Td(på)
13 ns
Teknik
PowerTrench MOSFET
Trr-diod (Min.)
40 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild