P-kanal transistor FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Hölje: SO. Kapsling (JEDEC-standard): -. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. C(tum): 1855pF. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2470pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Funktion: Utökat VGS-område (-25V) för batteridrivna applikationer. G-S Skydd: ja. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Id(imp): 55A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Kanaltyp: P. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Kostnad): 355pF. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 17.4m Ohms. RoHS: ja. Spec info: FDS6675BZ. Td(av): 120ns. Td(på): 3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Tillverkarens märkning: -. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00