P-kanal transistor FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Hölje: SO. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. : Förbättrad. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avgift: 40nC. Avloppsskydd: nej. C(tum): 1385pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Dräneringskälla spänning: -30V. Dräneringsström: -8.8A. Funktion: batteriladdningskontroll. G-S Skydd: ja. Grindspänning: ±20V. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Kostnad): 275pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 25V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Spec info: HBM ESD-skyddsnivå på 3,8kV. Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: P-kanal. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00