P-kanal transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v
Kvantitet
Enhetspris
1-4
13.38kr
5-49
11.06kr
50-99
9.34kr
100+
7.97kr
| Antal i lager: 52 |
P-kanal transistor FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2010pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Kostnad): 590pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2.5W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 100 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: P-kanal. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 23:00
FDS4435A
28 parametrar
ID (T=25°C)
9A
Idss (max)
10uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2010pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
P
Kostnad)
590pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.015 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
100 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
P-kanal
Trr-diod (Min.)
36ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild