P-kanal transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

P-kanal transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.07kr
5-24
17.42kr
25-49
16.03kr
50-99
14.91kr
100+
13.44kr
Antal i lager: 33

P-kanal transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 1uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 8. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1802pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Lågt på-motstånd, låg grindtröskelspänning, låg ingångskapacitans. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): -. Id(imp): 80A. Kanaltyp: P. Kostnad): 415pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: P3020LS. Olika: Snabb växlingshastighet, lågt in-/utgångsläckage. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.0116 Ohms. Td(av): 46 ns. Td(på): 5.1 ns. Teknik: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 11:43

DMP3020LSS
29 parametrar
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
1uA
Hölje
SO
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Spänning Vds(max)
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
8
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1802pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Lågt på-motstånd, låg grindtröskelspänning, låg ingångskapacitans
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
9A
Id(imp)
80A
Kanaltyp
P
Kostnad)
415pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
P3020LS
Olika
Snabb växlingshastighet, lågt in-/utgångsläckage
Pd (effektförlust, max)
2.5W
Resistans Rds På
0.0116 Ohms
Td(av)
46 ns
Td(på)
5.1 ns
Teknik
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Trr-diod (Min.)
30 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt från tillverkaren
Diodes Inc.