P-kanal transistor BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: diod. C(tum): 25pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Dräneringskälla spänning: -50V. Dräneringsström: -130mA. Effekt: 0.25W. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. G-S Skydd: nej. Genomsnittlig kontinuerlig ström: -130mA. Grindspänning: ±20V. ID (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Id(imp): 520mA. Kanaltyp: P. Kostnad): 15pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd mot tillstånd: 10 Ohms. Märkning på höljet: 11W. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 6 Ohms. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 11W. Td(av): 7 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Enhancement mode vertikal D-MOS transistor. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31