P-kanal transistor BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V
Kvantitet
Enhetspris
1-99
2.64kr
100+
1.62kr
| Antal i lager: 6051 |
P-kanal transistor BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 45pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: -0.13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 13. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27
BSS84-215-PD
17 parametrar
Hölje
SOT-23
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-236AB
Drain-source spänning Uds [V]
-50V
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
7 ns
Ciss Gate Kapacitans [pF]
45pF
Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C
-0.13A
Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Gate haverispänning Ugs [V]
-2V
Inkopplingstid ton [nsec.]
3 ns
Komponentfamilj
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.25W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
13
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp