P-kanal transistor BSS83P, SOT23
Kvantitet
Enhetspris
20-39
2.92kr
40-199
2.81kr
200-999
2.51kr
1000-2999
2.30kr
3000+
2.17kr
| +100 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 260 |
P-kanal transistor BSS83P, SOT23. Hölje: SOT23. Drag: -. Driftstemperatur: -. Dräneringskälla spänning: -60V. Dräneringsström: -330mA. Effekt: 360mW. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 330mA. Information: -. Körspänning: -. MSL: 1. Montering/installation: SMD. Monteringstyp: SMD. Motstånd mot tillstånd: 2 Ohms. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Polaritet: unipolär. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): -. RoHS: nej. Serie: -. Typ av transistor: P-MOSFET. Vdss (Drain to Source Voltage): -60V. Vgs (th) (max) @ id: -. Originalprodukt från tillverkaren: Various. Minsta kvantitet: 20. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 00:49
BSS83P
17 parametrar
Hölje
SOT23
Dräneringskälla spänning
-60V
Dräneringsström
-330mA
Effekt
360mW
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
330mA
MSL
1
Montering/installation
SMD
Monteringstyp
SMD
Motstånd mot tillstånd
2 Ohms
Pd (effektförlust, max)
0.36W
Polaritet
unipolär
RoHS
nej
Typ av transistor
P-MOSFET
Vdss (Drain to Source Voltage)
-60V
Originalprodukt från tillverkaren
Various
Minsta kvantitet
20