NPN-transistor TIP147, TO-247, -100V, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

NPN-transistor TIP147, TO-247, -100V, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
29.14kr
5-29
26.24kr
30-59
24.14kr
60-89
22.29kr
90+
20.06kr
+361 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 78

NPN-transistor TIP147, TO-247, -100V, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 10A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 500. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 125W. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 20A. Information: -. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 1000. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Minsta hFE-förstärkning: 500. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Nuvarande Max 1: -10A. Obs: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Pd (effektförlust, max): 125W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: TIP147. Spec info: komplementär transistor (par) TIP142. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Teknik: Monolitisk älskling. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: TIP147. Typ av transistor: PNP. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: -100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
TIP147
47 parametrar
Hölje
TO-247
Collector-Emitter Voltage VCEO
-100V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Samlarström Ic [A], max.
10A
Kollektorström
10A
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms
CE-diod
ja
Collector Current IC [A]
10A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
500
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
Effekt
125W
Funktion
Komplementär effekt Darlington transistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
20A
Komponentfamilj
Darlington PNP Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
1000
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
125W
Minsta hFE-förstärkning
500
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Nuvarande Max 1
-10A
Obs
R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms
Pd (effektförlust, max)
125W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
TIP147
Spec info
komplementär transistor (par) TIP142
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Teknik
Monolitisk älskling
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
TIP147
Typ av transistor
PNP
Typ
Darlington transistor
VCBO med kollektorbas
-100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics