NPN-transistor TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V

NPN-transistor TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.56kr
5-24
9.71kr
25-49
8.54kr
50-99
7.69kr
100+
6.50kr
+972 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 50

NPN-transistor TIP137, TO-220, TO-220AB, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 8A. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 70W. Funktion: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 12V. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 70pF. Max hFE-förstärkning: 15000. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: THT. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 70W. Polaritet: bipolär. RoHS: nej. Spec info: komplementär transistor (par) TIP132. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: TIP137. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

Teknisk dokumentation (PDF)
TIP137
38 parametrar
Hölje
TO-220
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
100V
Samlarström Ic [A], max.
8A
Kollektorström
8A
Hölje (enligt datablad)
TO220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
8A
Darlington-transistor?
ja
Effekt
70W
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
12V
Komponentfamilj
Darlington PNP Power Transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Kostnad)
70pF
Max hFE-förstärkning
15000
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
70W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
4 v
Minsta hFE-förstärkning
1000
Montering/installation
THT
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
70W
Polaritet
bipolär
RoHS
nej
Spec info
komplementär transistor (par) TIP132
Spänning (Collector - Emitter)
100V
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
TIP137
Typ av transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics