NPN-transistor NTE219, 15A, 60V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: 2.5 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 70. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.3V. Minsta hFE-förstärkning: 20. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Obs: komplementär transistor (par) NTE219. Pd (effektförlust, max): 115W. Temperatur: +200°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Nte Electronics Inc. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:22