NPN-transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

NPN-transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
71.58kr
5-14
61.13kr
15-29
55.62kr
30-59
51.98kr
60+
46.33kr
+52 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Slut i lager
Ekvivalens tillgänglig
Få ett meddelande via e-post när denna produkt finns i lager igen!

NPN-transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. C(tum): 9pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 30A. Kostnad): 10pF. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) NJW0302. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 01/01/2026, 13:00

NJW0281G
26 parametrar
Kollektorström
15A
Hölje
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3P
Kollektor-/emitterspänning Vceo
250V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
C(tum)
9pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
ljudeffektförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
30A
Kostnad)
10pF
Max hFE-förstärkning
150
Minsta hFE-förstärkning
45
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
150W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) NJW0302
Typ av transistor
NPN
Vcbo
250V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för NJW0281G