| +2500 rapidement | |
| Obsolete | |
| Out of stock | |
| Replacement | |
| Notif | |
| 12 in stock | |
| x2 |
NPN-transistor MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V
Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.36kr
50-99
0.30kr
100+
0.28kr
| +25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 1146 |
NPN-transistor MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.6A. 600mA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 225mW. FT: 200 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Konditioneringsenhet: 3000. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2T. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 40V. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37
MMBT4403LT1G
29 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektorström
0.6A
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
0.6A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
225mW
FT
200 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Konditioneringsenhet
3000
Max hFE-förstärkning
300
Minsta hFE-förstärkning
30
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
2T
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
0.3W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
40V
Tf(max)
30 ns
Typ av transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Minsta kvantitet
10