NPN-transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

NPN-transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
87.16kr
5-14
79.54kr
15-29
73.62kr
30-59
68.37kr
60+
60.10kr
Antal i lager: 49

NPN-transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 25A. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 200W. Produktionsdatum: 201446. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW3281A. Teknik: Power bipolär transistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 12:00

Teknisk dokumentation (PDF)
MJW1302AG
26 parametrar
Kollektorström
15A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
230V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
Kompletterande bipolär krafttransistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
25A
Max hFE-förstärkning
200
Minsta hFE-förstärkning
50
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
200W
Produktionsdatum
201446
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJW3281A
Teknik
Power bipolär transistor
Typ av transistor
PNP
Vcbo
230V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor