NPN-transistor MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A
Kvantitet
Enhetspris
1-9
78.51kr
10+
65.36kr
| +4 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 69 |
NPN-transistor MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 450/400V. Hölje: TO-220AB. Kollektorström: -8A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Antal terminaler: 3. Effekt: 80W. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE5852G. Typ av transistor: Krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27
MJE5852G
17 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
450/400V
Hölje
TO-220AB
Kollektorström
-8A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
400V
Samlarström Ic [A], max.
8A
Antal terminaler
3
Effekt
80W
Komponentfamilj
högspännings PNP-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
80W
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJE5852G
Typ av transistor
Krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi