NPN-transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Collector-Emitter Voltage VCEO: -300V. Hölje: TO-126. Kollektorström: -0.5A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Antal terminaler: 3. Effekt: 20W. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 10MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE350G. Typ av transistor: Krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27