NPN-transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V

NPN-transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
6.87kr
5-49
5.87kr
50-99
5.08kr
100-199
4.41kr
200+
3.52kr
+753 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 68

NPN-transistor MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, 500mA, TO-126, 300V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 4.87k Ohms. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.5A. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.5A. 500mA. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 30. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 20W. FT: 10 MHz. Funktion: -. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konditionering: -. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Nuvarande Max 1: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Polaritet: bipolär. RoHS: nej. Serie: MJE340. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Spänning (Collector - Emitter): 4.87k Ohms. Tillverkarens märkning: MJE340. Typ av transistor: Darlington transistor. Typ: Switching. VCBO med kollektorbas: 4.87k Ohms. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/12/2025, 01:10

Teknisk dokumentation (PDF)
MJE340
41 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
4.87k Ohms
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kollektorström
0.5A
Samlarström Ic [A], max.
500mA
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
300V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
0.5A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
30
Driftstemperatur
-65...+150°C
Effekt
20W
FT
10 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-126
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
300V
Komponentfamilj
högspännings NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
240
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
20W
Minsta hFE-förstärkning
30
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Nuvarande Max 1
0.5A
Pd (effektförlust, max)
20W
Polaritet
bipolär
RoHS
nej
Serie
MJE340
Spec info
komplementär transistor (par) MJE350
Spänning (Collector - Emitter)
4.87k Ohms
Tillverkarens märkning
MJE340
Typ av transistor
Darlington transistor
Typ
Switching
VCBO med kollektorbas
4.87k Ohms
Vcbo
300V
Vebo
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för MJE340