NPN-transistor MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 10A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 90W. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 200pF. Max hFE-förstärkning: 70. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Pd (effektförlust, max): 75W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. Spänning (Collector - Emitter): 70V. Teknik: Epitaxial-Base. Tillverkarens märkning: MJE3055T. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27