NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.86kr
5-24
9.08kr
25-49
7.94kr
50-99
7.24kr
100+
6.21kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 46

NPN-transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Halvledarmaterial: kisel. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. Teknik: Epitaxial-Base. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
2 MHz
Funktion
NF-L
Halvledarmaterial
kisel
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Max hFE-förstärkning
70
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.1V
Pd (effektförlust, max)
75W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJE2955T
Teknik
Epitaxial-Base
Typ av transistor
NPN
Vcbo
70V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för MJE3055T-FAI