NPN-transistor MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 15W. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 8A. Kostnad): 200pF. Max hFE-förstärkning: 180. Maxfrekvens: 40 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 15W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE243. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27