NPN-transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 8A. Kostnad): 2.5pF. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 10. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Obs: komplementär transistor (par) MJE15034G. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27