NPN-transistor MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Collector-Emitter Voltage VCEO: -150V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 30MHz. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 20. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 50W. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Information: -. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 40. Maxfrekvens: 30MHz. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Nuvarande Max 1: -8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15030G. Typ av transistor: PNP. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: -150V. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:52