NPN-transistor MJE13007, TO-220, 8A, TO-220AB, 400V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 8A. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 80W. FT: 14 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Kostnad): 80pF. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 80W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Spänning (Collector - Emitter): 400V. Teknik: Bipolär krafttransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05