NPN-transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

NPN-transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

Kvantitet
Enhetspris
1-9
211.76kr
10+
169.41kr
+113 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 115

NPN-transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Hölje: TO-3. Kollektorström: -16A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. Antal terminaler: 3. Bandbredd MHz: 4MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 5. Effekt: 250W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Information: -. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max temperatur: +200°C.. Maxfrekvens: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Monteringstyp: Chassifäste. Nuvarande Max 1: -16A. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJ15025G. Typ av transistor: Krafttransistor. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: -400V. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ15025G
25 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
-250V
Hölje
TO-3
Kollektorström
-16A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-204AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
250V
Samlarström Ic [A], max.
16A
Antal terminaler
3
Bandbredd MHz
4MHz
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
5
Effekt
250W
Gränsfrekvens ft [MHz]
4 MHz
Komponentfamilj
högspännings PNP-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+200°C.
Maxfrekvens
4 MHz
Maximal förlust Ptot [W]
250W
Monteringstyp
Chassifäste
Nuvarande Max 1
-16A
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJ15025G
Typ av transistor
Krafttransistor
Typ
Effekt
VCBO med kollektorbas
-400V
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi