NPN-transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V

NPN-transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
137.69kr
5-9
127.03kr
10-24
118.55kr
25-49
111.34kr
50+
101.52kr
+38 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 30

NPN-transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Kollektorström: 20A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Collector-Emitter Voltage VCEO: -140V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 70. Bandbredd MHz: 2MHz. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Driftstemperatur: -65...+200°C. Effekt: 250W. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 150. Max temperatur: +200°C.. Maxfrekvens: 2MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Chassifäste. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Nuvarande Max 1: -20A. Pd (effektförlust, max): 250W. Polaritet: PNP. Produktionsdatum: 2015/08. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15003. Tillverkarens märkning: MJ15004G. Typ av transistor: PNP. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: -140V. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Div. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ15004G
45 parametrar
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Kollektorström
20A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-204AA
Collector-Emitter Voltage VCEO
-140V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
140V
Samlarström Ic [A], max.
20A
Hölje (enligt datablad)
TO-3
Kollektor-/emitterspänning Vceo
140V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
70
Bandbredd MHz
2MHz
CE-diod
nej
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Driftstemperatur
-65...+200°C
Effekt
250W
FT
2 MHz
Funktion
Krafttransistor
Gränsfrekvens ft [MHz]
2 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Komponentfamilj
högspännings PNP-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
150
Max temperatur
+200°C.
Maxfrekvens
2MHz
Maximal förlust Ptot [W]
250W
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Chassifäste
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Nuvarande Max 1
-20A
Pd (effektförlust, max)
250W
Polaritet
PNP
Produktionsdatum
2015/08
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJ15003
Tillverkarens märkning
MJ15004G
Typ av transistor
PNP
Typ
Effekt
VCBO med kollektorbas
-140V
Vcbo
140V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Div