| Antal i lager: 16 |
NPN-transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
45.10kr
5-24
39.63kr
25-49
35.94kr
50+
33.46kr
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen | |
| Slut i lager | |
| Ekvivalens tillgänglig |
NPN-transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: ja. Driftstemperatur: 0...+150°C. FT: 15 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Kostnad): 60pF. Max hFE-förstärkning: 30. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Minsta hFE-förstärkning: 15. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 40W. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27
KSC5027F-R
26 parametrar
Kollektorström
3A
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Kollektor-/emitterspänning Vceo
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
ja
Driftstemperatur
0...+150°C
FT
15 MHz
Funktion
Höghastighetsomkoppling
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
10A
Kostnad)
60pF
Max hFE-förstärkning
30
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
2V
Minsta hFE-förstärkning
15
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
40W
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.5us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1100V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild