NPN-transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

NPN-transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
26.94kr
5-24
23.68kr
25-49
21.06kr
50+
18.89kr
Antal i lager: 16

NPN-transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 50. CE-diod: ja. Driftstemperatur: -65...+175°C. FT: 13 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Kostnad): 156pF. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 18. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.83V. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MJF18204
27 parametrar
Kollektorström
5A
Hölje
TO-220FP
Hölje (enligt datablad)
TO-220F
Kollektor-/emitterspänning Vceo
600V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
50
CE-diod
ja
Driftstemperatur
-65...+175°C
FT
13 MHz
Funktion
kopplingskretsar
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
10A
Kostnad)
156pF
Max hFE-förstärkning
35
Minsta hFE-förstärkning
18
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.83V
Pd (effektförlust, max)
35W
RoHS
ja
Tf(max)
175 ns
Tf(min)
110 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1200V
Vebo
10V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor