NPN-transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

NPN-transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.86kr
5-24
13.99kr
25-49
12.52kr
50-99
11.54kr
100+
10.05kr
Antal i lager: 69

NPN-transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Ekvivalenta: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. FT: 40 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 20A. Max hFE-förstärkning: 60. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: par D44H11. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 01:47

Teknisk dokumentation (PDF)
D45H11
26 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Ekvivalenta
Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi
FT
40 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
20A
Max hFE-förstärkning
60
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1V
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
par D44H11
Tf(max)
100 ns
Tf(min)
100 ns
Typ av transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics