NPN-transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

NPN-transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.40kr
5-49
4.46kr
50-99
3.88kr
100-199
3.50kr
200+
3.00kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen. Sista tillgängliga varorna
Antal i lager: 192

NPN-transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. BE-motstånd: 150 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 200 MHz. Funktion: hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 2000. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 1.25W. Spec info: komplementär transistor (par) BSP50. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BSP60-115
24 parametrar
Kollektorström
1A
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Kollektor-/emitterspänning Vceo
45V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
BE-motstånd
150 Ohms
CE-diod
ja
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
200 MHz
Funktion
hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Max hFE-förstärkning
2000
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.3V
Minsta hFE-förstärkning
1000
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
1.25W
Spec info
komplementär transistor (par) BSP50
Typ av transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors