NPN-transistor BDW94C, TO-220, TO-220AB, 12A, -100V, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektorström: 12A. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 12A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 80W. FT: 20 MHz. Funktion: komplementär transistor (par) BDW93C. Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Information: -. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 20000. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Nuvarande Max 1: -12A. Pd (effektförlust, max): 80W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BDW94C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BDW94C. Typ av transistor: PNP. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: -100V. Vcbo: 100V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:30