NPN-transistor BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 20A. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B. Tillverkarens märkning: BDV64BG. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:14