NPN-transistor BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 20A. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Obs: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDT65C. Teknik: Darlington transistor. Temperatur: +150°C. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 14/11/2025, 00:14