NPN-transistor BD912, TO-220, TO-220AB, -100V, 100V, 15A, 15A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Kollektorström: 15A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 3MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 15A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 5. Effekt: 90W. FT: 3 MHz. Frekvens: 3MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 250. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Nuvarande Max 1: -15A. Pd (effektförlust, max): 90W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BD911. Typ av transistor: PNP. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: -100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24