Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126 - BD681

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126 - BD681
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 9 6.05kr 7.56kr
10 - 24 5.75kr 7.19kr
25 - 49 5.56kr 6.95kr
50 - 99 5.44kr 6.80kr
100 - 249 4.93kr 6.16kr
250 - 499 4.76kr 5.95kr
500 - 2183 4.72kr 5.90kr
Kvantitet U.P
1 - 9 6.05kr 7.56kr
10 - 24 5.75kr 7.19kr
25 - 49 5.56kr 6.95kr
50 - 99 5.44kr 6.80kr
100 - 249 4.93kr 6.16kr
250 - 499 4.76kr 5.95kr
500 - 2183 4.72kr 5.90kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 2183
Set med 1

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126 - BD681. NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) BD682. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 40W. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 18/06/2025, 15:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.