NPN-transistor BD680, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD679. Tillverkarens märkning: BD680. Typ av transistor: PNP. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24