NPN-transistor BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Samlarström Ic [A], max.: 4A. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -...+150°C. FT: 10 MHz. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 6A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Minsta hFE-förstärkning: 750. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.8V. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD680A. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BD679A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24