NPN-transistor BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 4A. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Collector Current IC [A]: 4A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 40W. FT: 10 MHz. Få hfe: 750. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 6A. Inbyggd diod: ja. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 750. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Nuvarande Max 1: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD681. Spec info: komplementär transistor (par) BD682. Spänning (Collector - Emitter): 100V. Tillverkarens märkning: BD681. Typ av transistor: NPN. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24