NPN-transistor BD652-S, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A

NPN-transistor BD652-S, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A

Kvantitet
Enhetspris
1+
16.54kr
Antal i lager: 17

NPN-transistor BD652-S, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: BD652. Originalprodukt från tillverkaren: Bourns. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:25

Teknisk dokumentation (PDF)
BD652-S
12 parametrar
Hölje
TO-220AB
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220AB
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
120V
Samlarström Ic [A], max.
8A
Antal terminaler
3
Komponentfamilj
Darlington PNP Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
62.5W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
BD652
Originalprodukt från tillverkaren
Bourns