NPN-transistor BD442, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: nej. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANSISTOR 80V 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 7A. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konditionering: plaströr. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 130. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Pd (effektförlust, max): 36W. Produktionsdatum: 1449. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD441. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BD442. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24