NPN-transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

NPN-transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.58kr
5-24
4.59kr
25-49
4.67kr
50-99
3.47kr
100+
2.65kr
+22 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 133

NPN-transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 3MHz. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 2A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Effekt: 25W. FT: 3 MHz. Frekvens: 3MHz. Funktion: Ljud-, kraftlinjär- och växlingsapplikationer. Få hfe: 25...40. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 6A. Information: -. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 40. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Nuvarande Max 1: -2A. Pd (effektförlust, max): 25W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: BD. Spec info: komplementär transistor (par) BD237. Spänning (Collector - Emitter): 100V, 80V. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BD238. Typ av transistor: PNP. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: -100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

Teknisk dokumentation (PDF)
BD238
49 parametrar
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Kapsling (JEDEC-standard)
SOT-32
Collector-Emitter Voltage VCEO
-80V
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
80V
Samlarström Ic [A], max.
2A
Kollektorström
2A
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
3MHz
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
2A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Effekt
25W
FT
3 MHz
Frekvens
3MHz
Funktion
Ljud-, kraftlinjär- och växlingsapplikationer
Få hfe
25...40
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
6A
Komponentfamilj
PNP Power Transistor
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
40
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
25W
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.6V
Nuvarande Max 1
-2A
Pd (effektförlust, max)
25W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
BD
Spec info
komplementär transistor (par) BD237
Spänning (Collector - Emitter)
100V, 80V
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BD238
Typ av transistor
PNP
Typ
Effekt
VCBO med kollektorbas
-100V
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil