NPN-transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

NPN-transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.56kr
5-24
2.13kr
25-49
1.85kr
50-99
1.67kr
100+
1.43kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 352

NPN-transistor BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Temperatur: +150°C. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 04:24

BD140-CDIL
26 parametrar
Kollektorström
1.5A
Hölje
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Hölje (enligt datablad)
TO-126
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55°C till +150°C
FT
50 MHz
Funktion
NF-L
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Max hFE-förstärkning
250
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.5V
Pd (effektförlust, max)
12.5W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BD139
Teknik
"Epitaxiell plan transistor"
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BD140-CDIL