NPN-transistor BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

NPN-transistor BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.59kr
5-49
2.16kr
50-99
1.88kr
100-199
1.71kr
200+
1.47kr
Antal i lager: 188

NPN-transistor BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...150°C. FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, för AF och växlingsapplikationer. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1A. Kostnad): 12pF. Max hFE-förstärkning: 63. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: DKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Spec info: komplementär transistor (par) BCX41. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 02/01/2026, 04:33

Teknisk dokumentation (PDF)
BCX42
24 parametrar
Kollektorström
0.8A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Kollektor-/emitterspänning Vceo
125V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...150°C
FT
150 MHz
Funktion
PNP transistor, för AF och växlingsapplikationer
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1A
Kostnad)
12pF
Max hFE-förstärkning
63
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.9V
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
DKs
Pd (effektförlust, max)
0.33W
Spec info
komplementär transistor (par) BCX41
Typ av transistor
PNP
Vcbo
125V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies