NPN-transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 500mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 4.7k Ohms. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd B: 4.7k Ohms. Märkning på höljet: XUs. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34