NPN-transistor BC859C, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 3 G. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3G/4C. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diodes Inc. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34