NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.48kr
50-99
0.43kr
100+
0.38kr
Antal i lager: 45
Minimum: 10

NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Darlington-transistor?: nej. Driftstemperatur: °C. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 3E. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC857A
25 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
45V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Darlington-transistor?
nej
Driftstemperatur
°C
FT
100 MHz
Funktion
allmänt syfte
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Max hFE-förstärkning
250
Minsta hFE-förstärkning
125
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
3E
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.075V
Pd (effektförlust, max)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
SMD 3E
Typ av transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors
Minsta kvantitet
10