NPN-transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V
Kvantitet
Enhetspris
10-24
0.56kr
25-99
0.38kr
100-499
0.32kr
500+
0.27kr
| Antal i lager: 376 |
NPN-transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 200mA. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 125. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 3A. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.075V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 3A. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34
BC856A
23 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
65V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
100 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
200mA
Max hFE-förstärkning
250
Minsta hFE-förstärkning
125
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
3A
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.075V
Pd (effektförlust, max)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod 3A
Typ av transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors
Minsta kvantitet
10