NPN-transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

NPN-transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
2.12kr
5-49
1.74kr
50-99
1.51kr
100-199
1.38kr
200+
1.18kr
+50 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 116

NPN-transistor BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 1A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. C(tum): 110pF. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 1A. Darlington-transistor?: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.8/2.75W. FT: 150 MHz. Frekvens: 150MHz. Få hfe: 100...250. Halvledarmaterial: kisel. Konditionering: Ammo Pack. Kostnad): 9pF. Max hFE-förstärkning: 250. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 800mW. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC639-16. Spänning (Collector - Emitter): 80V. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34

BC640-16
31 parametrar
Hölje
TO-92
Kollektorström
1A
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
80V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
C(tum)
110pF
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
1A
Darlington-transistor?
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.8/2.75W
FT
150 MHz
Frekvens
150MHz
Få hfe
100...250
Halvledarmaterial
kisel
Konditionering
Ammo Pack
Kostnad)
9pF
Max hFE-förstärkning
250
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.5V
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
800mW
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) BC639-16
Spänning (Collector - Emitter)
80V
Typ av transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Cdil