NPN-transistor BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. C(tum): 110pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 70 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 9pF. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Pd (effektförlust, max): 800mW. Produktionsdatum: 1997.04. Teknik: Planar epitaxial transistor. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Cdil. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:34